制造倒装芯片器件的结构和方法
专利申请权、专利权的转移
摘要
本发明提供焊料凸块结构和凸块下冶金结构。半导体衬底的上表面包含置于其上的第一导电焊盘(200)。钝化层(202)覆盖上述上表面。第二导电焊盘(212)置于钝化层中的开口(204)中并与第一导电焊盘相接触。凸块下冶金结构(300)包封第二导电焊盘，覆盖第二导电焊盘的上表面和侧壁面，保护第一和第二导电焊盘免受环境和工艺的影响。根据本发明，不再需要传统的第二钝化层。还给出了形成各种结构的方法。
基本信息
专利标题 ：
制造倒装芯片器件的结构和方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101128926A
申请号 ：
CN200680006014.8
公开（公告）日 ：
2008-02-20
申请日 ：
2006-02-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
M·A·巴克曼D·S·比廷D·P·切塞尔鞠泰镐S·M·默钱特
申请人 ：
艾格瑞系统有限公司
申请人地址 ：
美国宾夕法尼亚
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN200680006014.8
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60 H01L23/485
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2020-02-14 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/60
登记生效日 : 20200120
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 安华高科技通用IP(新加坡)公司
变更后权利人 : 贝尔半导体有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 新加坡新加坡市
变更后权利人 : 新加坡新加坡市
登记生效日 : 20200120
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 安华高科技通用IP(新加坡)公司
变更后权利人 : 贝尔半导体有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 新加坡新加坡市
变更后权利人 : 新加坡新加坡市
2016-10-12 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101739933985
IPC(主分类) : H01L 21/60
专利号 : ZL2006800060148
登记生效日 : 20160918
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 艾格瑞系统有限责任公司
变更后权利人 : 安华高科技通用IP(新加坡)公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国宾夕法尼亚
变更后权利人 : 新加坡新加坡市
号牌文件序号 : 101739933985
IPC(主分类) : H01L 21/60
专利号 : ZL2006800060148
登记生效日 : 20160918
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 艾格瑞系统有限责任公司
变更后权利人 : 安华高科技通用IP(新加坡)公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国宾夕法尼亚
变更后权利人 : 新加坡新加坡市
2015-02-11 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101711193443
IPC(主分类) : H01L 21/60
专利号 : ZL2006800060148
变更事项 : 专利权人
变更前 : 艾格瑞系统有限公司
变更后 : 艾格瑞系统有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国宾夕法尼亚
变更后 : 美国宾夕法尼亚
号牌文件序号 : 101711193443
IPC(主分类) : H01L 21/60
专利号 : ZL2006800060148
变更事项 : 专利权人
变更前 : 艾格瑞系统有限公司
变更后 : 艾格瑞系统有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国宾夕法尼亚
变更后 : 美国宾夕法尼亚
2010-03-03 ：
授权
2008-04-16 ：
实质审查的生效
2008-02-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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