倒装芯片模块及其制造方法
实质审查的生效
摘要
公开了一种倒装芯片模块及其制造方法。该倒装芯片模块包括具有顶表面的载体，第一模制化合物位于顶表面上。第一薄化的倒装芯片管芯位于第一模制化合物的第一部分之上并且具有延伸穿过第一模制化合物的第一部分到达顶表面的第一组互连件，第一模制化合物的第一部分填充第一薄化的倒装芯片管芯和顶表面之间的区域；第二模制化合物，位于载体之上并且与第一模制化合物接触并且在第一薄化的倒装芯片管芯之上提供第一凹陷，第一凹陷延伸到第一薄化的倒装芯片管芯的第一管芯表面；第三模制化合物，位于第一凹陷中并覆盖第一薄化的倒装芯片管芯的第一暴露表面，第三模制化合物包括导热添加剂以提供通过第三模制化合物的导热。
基本信息
专利标题 ：
倒装芯片模块及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551375A
申请号 ：
CN202210148387.X
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2016-08-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朱利奥·C·科斯塔托马斯·斯科特·莫里斯乔纳森·哈勒·哈蒙德大卫·扬德金斯基斯蒂芬·帕克乔恩·查德威克
申请人 ：
QORVO美国公司
申请人地址 ：
美国北卡罗莱纳州
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
刘丹
优先权 ：
CN202210148387.X
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L21/56 H01L23/29 H01L25/16
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/31
申请日 : 20160805
申请日 : 20160805
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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