LED倒装芯片的制备方法
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摘要
本发明公开了一种LED倒装芯片的制备方法，首先制备出具有适合共晶焊接电极的大尺寸LED芯片，同时制备出相应尺寸的硅衬底，并在硅衬底上制作出供共晶焊接的金导电层及引出导电层，并在所述金导电层及引出导电层制作出超声金丝球焊点；然后，利用共晶焊接设备倒装机，将大尺寸LED芯片与硅衬底焊接在一起。本发明可使大功率LED倒装芯片降低电压，使LED产生的热量降低，提高倒装芯片的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
LED倒装芯片的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1967884A
申请号 ：
CN200510110475.7
公开（公告）日 ：
2007-05-23
申请日 ：
2005-11-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
董志江靳彩霞周武丁晓民黄素梅
申请人 ：
上海蓝光科技有限公司;华东师范大学
申请人地址 ：
201203上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路351号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
丁纪铁
优先权 ：
CN200510110475.7
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L21/607 B23K20/10
法律状态
2009-03-11 ：
授权
2007-07-18 ：
实质审查的生效
2007-05-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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