倒装LED芯片的制备方法、倒装LED芯片以及显示设备
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种倒装LED芯片的制备方法、倒装LED芯片以及显示设备。这种倒装LED芯片的制备方法在通过在第一芯片半成品上形成第一保护层，第一保护层可以对第一n型层、第一发光层和第一p型层的侧壁形成保护，从而有效避免后续金属沉积及剥离工艺带来的潜在金属残留等导致的漏电风险。这些残留可能是光刻胶，黏附在侧壁的金属物等，一旦有残留就会影响器件的性能，最终体现在可靠性上表现较差甚至失效，在此阶段的第一保护层可以大大降低上述问题带来的潜在风险。与传统的倒装LED芯片的制备方法相比，这种倒装LED芯片的制备方法可以大幅度的降低制得的倒装LED芯片的漏电风险。
基本信息
专利标题 ：
倒装LED芯片的制备方法、倒装LED芯片以及显示设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420797A
申请号 ：
CN202111470401.X
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘召军吴涛张珂
申请人 ：
深圳市思坦科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙华区大浪街道同胜社区工业园路1号1栋凯豪达大厦十三层1309
代理机构 ：
深圳中细软知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐春祺
优先权 ：
CN202111470401.X
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L33/44
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20211203
申请日 : 20211203
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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