倒装芯片结构
授权
摘要
本实用新型涉及发光二极管领域，公开了一种倒装芯片结构，包括从下至上依次设置的衬底、外延层、第一电极层、第一绝缘层和第二电极层；第一电极层包括若干第一P型和第二N型电极；第二电极层包括若干第二P型和第二N型电极；第一与第二P型电极电性连接，第一与第二N型电极电性连接；在第一电极层中，具有若干由一个第一N型电极和四至六个第一P型电极构成的正六边形单元，第一N型电极位于正六边形单元的中心，各第一P型电极以第一N型电极为中心圆周分布。本申请通过对产品第一P型和N型电极分布的调整，使电流扩展更均匀，发光分布区域更均匀，发光分布面积变大，提高亮度，降低电压，达到较高的产品光效能力。
基本信息
专利标题 ：
倒装芯片结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123415665.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
CN216450670U
授权日 ：
2022-05-06
发明人 ：
王思博廖汉忠芦玲
申请人 ：
淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请人地址 ：
江苏省淮安市清河新区景秀路6号
代理机构 ：
淮安市科文知识产权事务所
代理人 ：
廖娜
优先权 ：
CN202123415665.3
主分类号 ：
H01L33/24
IPC分类号 ：
H01L33/24 H01L33/38
法律状态
2022-05-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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