倒装LED芯片
授权
摘要
本实用新型提供了一种倒装LED芯片，N电极引出端直接与N型半导体层电性连接，P电极引出端直接与电流扩展层和P型半导体层电性连接，N电极引出端和P电极引出端既作为电极引出端又充当欧姆接触层，省略了第一层金属，规避了绝缘反射层对第一层金属的覆盖差导致的裂纹或断层的问题，可以解决由于绝缘反射层产生裂纹或断层而导致的漏电问题，有利于提升倒装LED芯片的性能。P电极引出端直接与P型半导体层连接，增加了粘附力，提高了倒装LED芯片的推力。
基本信息
专利标题 ：
倒装LED芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022234878.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-30
授权号 ：
CN212874526U
授权日 ：
2021-04-02
发明人 ：
赵进超逯永建李超
申请人 ：
厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市海沧区兰英路99号
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
王宏婧
优先权 ：
CN202022234878.5
主分类号 ：
H01L33/14
IPC分类号 ：
H01L33/14 H01L33/36 H01L33/44 H01L33/48
法律状态
2021-04-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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