芯片倒装工艺方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供的芯片倒装工艺方法，提供一晶圆，在所述晶圆的正面上进行植球工艺，将所述晶圆的背面进行研磨减薄处理，将所述晶圆的背面涂覆一层保护胶，提供一蓝膜，将所述晶圆的具有所述保护胶的一面贴到所述蓝膜上，并进行切割，形成颗粒状芯片，将所述颗粒状芯片通过顶针顶出所述蓝膜，并通过外部设备取出顶出的所述颗粒状芯片，所述顶针将所述颗粒状芯片顶出所述蓝膜时，所述顶针与所述颗粒状芯片背面的保护胶接触，所述顶针不接触所述颗粒状芯片，将顶出的所述颗粒状芯片进行倒装工艺，并形成芯片封装体。
基本信息
专利标题 ：
芯片倒装工艺方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388371A
申请号 ：
CN202111669169.2
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
彭建军
申请人 ：
上海彭瑞微电子科技有限公司
申请人地址 ：
上海市闵行区莘松路380号5、6楼
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202111669169.2
主分类号 ：
H01L21/56
IPC分类号 ：
H01L21/56 H01L21/683
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装，例如密封层、涂层
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/56
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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