倒装LED芯片及其制造方法
公开
摘要
本申请公开了一种倒装LED芯片及其制造方法。该制造方法包括：在生长衬底上进行第一次外延生长，形成第一外延结构，第一外延结构包括位于生长衬底上依次堆叠的第二限制层、发光层、第一限制层及第一半导体层；经由键合层将第一半导体层与透明衬底键合；去除生长衬底，并在第二限制层上进行第二次外延生长，形成第二半导体层，第一半导体层、发光层、发光层两侧的第一限制层和第二限制层以及第二半导体层组成外延层；刻蚀外延层以暴露出部分第一半导体层；形成与第一半导体层电连接的第一电极和与第二半导体层电连接的第二电极。通过两次外延生长使第一半导体层和第二半导体层可选用光电性能更优异的GaP，从而大大提升倒装LED芯片的光效。
基本信息
专利标题 ：
倒装LED芯片及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628552A
申请号 ：
CN202210178972.4
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-02-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王亚宏李森林薛龙赖玉财廖寅生谢岚驰梁兴华毕京锋
申请人 ：
厦门士兰明镓化合物半导体有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市海沧区兰英路99号
代理机构 ：
北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人 ：
岳丹丹
优先权 ：
CN202210178972.4
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L33/30
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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