一种倒装Micro-LED芯片及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明属于半导体发光器件技术领域，公开了一种倒装Micro‑LED芯片及其制造方法。芯片中的钝化层采用场效应钝化复合层，场效应钝化复合层包括位于外侧的第一材料层和位于内侧并与芯片侧壁接触的第二材料层，芯片侧壁为斜面。场效应钝化复合层用于在本征点缺陷处形成电荷中心，形成覆盖芯片侧壁的电场，通过形成的电场防止自由载流子在芯片侧壁发生非辐射复合；场效应钝化复合层用于降低芯片侧壁的点缺陷密度，减少芯片侧壁发生非辐射复合的几率。本发明能够降低反向漏电流，提高Micro‑LED的发光效率和稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种倒装Micro-LED芯片及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497313A
申请号 ：
CN202210015865.X
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
周圣军孙月昌施浪
申请人 ：
武汉大学
申请人地址 ：
湖北省武汉市武昌区珞珈山
代理机构 ：
武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
胡琦旖
优先权 ：
CN202210015865.X
主分类号 ：
H01L33/44
IPC分类号 ：
H01L33/44 H01L33/20 H01L33/00
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/44
申请日 : 20220107
申请日 : 20220107
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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