一种倒装芯片
授权
摘要
本实用新型涉及半导体技术领域，具体公开了一种倒装芯片，其中，包括：衬底，所述衬底上依次设置第一导电类型氮化镓层、量子阱层和第二导电类型氮化镓层，所述第二导电类型氮化镓层上设置反射层，所述反射层上设置互联电极层，所述互联电极层与所述第一导电类型氮化镓层连接，所述互联电极层上设置焊盘电极层。本实用新型还公开了一种倒装芯片的制作方法。本实用新型提供的倒装芯片解决了现有技术中的电流分布不均和金属层吸光的难题。
基本信息
专利标题 ：
一种倒装芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922211328.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-11
授权号 ：
CN211017112U
授权日 ：
2020-07-14
发明人 ：
胡锡兵蔡有军刘春花张斌斌
申请人 ：
江苏新广联科技股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市锡山经济开发区团结北路18号
代理机构 ：
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹祖良
优先权 ：
CN201922211328.9
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 H01L33/10 H01L33/28 H01L33/38 H01L33/00
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法律状态
2020-07-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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