一种芯片结构及其制造方法
授权
摘要
本发明提供了一种芯片结构及其制造方法。本发明的芯片结构利用在其侧面上形成外露的牺牲电极来保护其用于外电连接的电极焊盘，其使得电极焊盘的材料的氧化还原电位高于牺牲电极的材料的氧化还原电位，能够在水氧的环境下先消耗牺牲电极材料，保护电极焊盘材料。并且，牺牲电极通过种子层与电极焊盘一一弱电连接，以此保证牺牲电极和电极焊盘的初始电位相同，能够进一步保护电极焊盘。
基本信息
专利标题 ：
一种芯片结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112838013A
申请号 ：
CN202110007479.1
公开（公告）日 ：
2021-05-25
申请日 ：
2021-01-05
授权号 ：
CN112838013B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
孙德瑞
申请人 ：
山东傲天环保科技有限公司
申请人地址 ：
山东省济南市历下区华能路38号汇源大厦1506
代理机构 ：
北京华际知识产权代理有限公司
代理人 ：
叶宇
优先权 ：
CN202110007479.1
主分类号 ：
H01L21/50
IPC分类号 ：
H01L21/50 H01L21/60 H01L23/488
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2022-05-31 ：
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移IPC(主分类) : H01L 21/50
登记生效日 : 20220518
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 山东傲天环保科技有限公司
变更后权利人 : 山东睿芯半导体科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 250000 山东省济南市历下区华能路38号汇源大厦1506
变更后权利人 : 276800 山东省日照市经济开发区上海路388号
登记生效日 : 20220518
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 山东傲天环保科技有限公司
变更后权利人 : 山东睿芯半导体科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 250000 山东省济南市历下区华能路38号汇源大厦1506
变更后权利人 : 276800 山东省日照市经济开发区上海路388号
2021-06-11 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/50
申请日 : 20210105
申请日 : 20210105
2021-05-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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