半导体芯片制造方法
授权
摘要
在包括如下步骤的过程中，执行半导体芯片制造过程：保护片粘贴过程，用于将保护片粘贴到半导体晶片的第一表面上，以使所述片与TEG接触；掩膜放置过程，用于在与所述晶片的第一表面相对的第二表面上放置掩膜；等离子体蚀刻过程，用于执行蚀刻，从第二表面去除与划分区相对应的部分，并将器件形成区划分成单个的半导体芯片；以及TEG去除过程，用于通过剥离保护片，与保护片一并地去除残留在划分区中和贴在保护片上的TEG剩余部分。
基本信息
专利标题 ：
半导体芯片制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101040376A
申请号 ：
CN200580034781.5
公开（公告）日 ：
2007-09-19
申请日 ：
2005-12-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
有田洁中川显
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
王波波
优先权 ：
CN200580034781.5
主分类号 ：
H01L21/78
IPC分类号 ：
H01L21/78 H01L23/544 H01L21/68
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
法律状态
2009-06-10 ：
授权
2007-11-14 ：
实质审查的生效
2007-09-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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