多芯片型半导体装置及其制造方法

发明专利申请公布后的驳回

摘要

本发明涉及多芯片型半导体装置及其制造方法，所述多芯片型半导体装置设有装载在安装用基板上、具有规定功能的第1半导体集成电路芯片，以及集成电源电路的第2半导体集成电路芯片。该第2半导体集成电路芯片接受从外部供给的电源，用于向上述第1半导体集成电路芯片提供电力。将第2半导体集成电路芯片层叠在第1半导体集成电路芯片上之后，用树脂将该第1、第2半导体集成电路芯片模块化。通过将低电压工艺制造的半导体芯片和往该半导体芯片供给电源、集成了用高电压工艺制造的恒电压电源电路的恒电压芯片，收纳在芯片叠芯片形式的半导体基板上，在不增加安装面积状态下，能实现对输入电压的高耐压化。

基本信息

专利标题：

多芯片型半导体装置及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1835232A

申请号：

CN200610054798.3

公开（公告）日：

2006-09-20

申请日：

2006-03-10

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

藤户弘志高森靖博

申请人：

株式会社理光

申请人地址：

日本东京

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

杨梧

优先权：

CN200610054798.3

主分类号：

H01L25/065

IPC分类号：

H01L25/065 H01L21/50