半导体芯片和半导体晶片的制造方法
授权
摘要
在具有布置在多个器件形成区中的半导体器件、以及放置在限定了器件形成区的划分区中的TEG的半导体晶片中，将TEG放置部分布置在部分地沿宽度延伸的划分区中，并且将TEG放置在TEG放置部分中。并且，将保护薄片粘到半导体晶片上，然后执行等离子体刻蚀，并且通过对保护薄片进行剥离将保持处于划分区、并且粘到保护薄片上的状态的TEG和保护薄片一起去除，从而将器件形成区划分为单片，并且制造出半导体芯片。
基本信息
专利标题 ：
半导体芯片和半导体晶片的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101103454A
申请号 ：
CN200680002082.7
公开（公告）日 ：
2008-01-09
申请日 ：
2006-01-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
有田洁西中辉明
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
王玮
优先权 ：
CN200680002082.7
主分类号 ：
H01L21/78
IPC分类号 ：
H01L21/78 H01L21/68 H01L23/544
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
法律状态
2009-06-24 ：
授权
2008-02-27 ：
实质审查的生效
2008-01-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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