经涂覆的半导体晶片以及制造该半导体晶片的方法和装置
授权
摘要
本发明涉及一种基座，其用于在由化学气相沉积法(CVD)于半导体晶片正面上沉积层期间将该半导体晶片置于该基座上，其具有一种透气的结构，该结构的孔隙率至少为15％，密度为0.5至1.5g/cm3，孔直径小于0.1mm且孔的内表面积大于10,000cm2/cm3。本发明还涉及半导体晶片，其具有一个由化学气相沉积法(CVD)涂覆的正面和一个经抛光或蚀刻的背面，其特征在于，该背面的表示为高度起伏PV(＝峰与谷的高度起伏)的纳米形貌低于5nm，同时该背面的表示为光雾的“晕圈”现象小于5ppm。本发明还涉及该半导体晶片的制造方法。
基本信息
专利标题 ：
经涂覆的半导体晶片以及制造该半导体晶片的方法和装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1805122A
申请号 ：
CN200510129581.X
公开（公告）日 ：
2006-07-19
申请日 ：
2005-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赖因哈德·绍尔诺贝特·维尔纳
申请人 ：
硅电子股份公司
申请人地址 ：
德国慕尼黑
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
过晓东
优先权 ：
CN200510129581.X
主分类号 ：
H01L21/205
IPC分类号 ：
H01L21/205 C30B25/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/205
应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积
法律状态
2008-10-29 ：
授权
2006-09-13 ：
实质审查的生效
2006-07-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
