半导体晶片及其检查方法
专利权的终止
摘要
在晶片状态下进行半导体元件的老化检查，且防止电极端的下层电路和周边的上层非导体层的破坏，形成在半导体晶片上的位置对准图形具有检测部电极端与导通部电极端，检测部电极端设置间隔并包围导通部电极端的周围且构成一部分被开放的形状。
基本信息
专利标题 ：
半导体晶片及其检查方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1776898A
申请号 ：
CN200510125011.3
公开（公告）日 ：
2006-05-24
申请日 ：
2005-11-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高桥昌男中田义朗三村忠昭阪下俊彦福田敏行
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
沈昭坤
优先权 ：
CN200510125011.3
主分类号 ：
H01L23/00
IPC分类号 ：
H01L23/00 H01L21/66
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
法律状态
2014-01-08 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101560122180
IPC(主分类) : H01L 23/00
专利号 : ZL2005101250113
申请日 : 20051111
授权公告日 : 20090211
终止日期 : 20121111
号牌文件序号 : 101560122180
IPC(主分类) : H01L 23/00
专利号 : ZL2005101250113
申请日 : 20051111
授权公告日 : 20090211
终止日期 : 20121111
2009-02-11 ：
授权
2007-09-19 ：
实质审查的生效
2006-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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