半导体晶片表面保护薄片及使用其的半导体晶片保护方法
专利申请权、专利权的转移
摘要
本发明提供一种即使在半导体晶片电路形成面上有非常大的凹凸，也能够防止半导体晶片破损的半导体晶片表面保护薄片。本发明的半导体晶片表面保护用薄片的特征在于，至少含有一层具有G’(60)/G’(25)＜0.1关系的树脂层(A)，其中，G’(60)是60℃的储存弹性模量，G’(25)是25℃的储存弹性模量。本发明还提供使用该保护薄片的半导体晶片的保护方法。
基本信息
专利标题 ：
半导体晶片表面保护薄片及使用其的半导体晶片保护方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101116182A
申请号 ：
CN200680004146.7
公开（公告）日 ：
2008-01-30
申请日 ：
2006-02-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
才本芳久浦川俊也中岛明美赤井郁雄相原伸
申请人 ：
三井化学株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
钟晶
优先权 ：
CN200680004146.7
主分类号 ：
H01L21/683
IPC分类号 ：
H01L21/683
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2012-01-18 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101269115055
IPC(主分类) : H01L 21/683
专利号 : ZL2006800041467
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 三井化学株式会社
变更后权利人 : 三井化学东赛璐株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京都
变更后权利人 : 日本东京都
登记生效日 : 20111209
号牌文件序号 : 101269115055
IPC(主分类) : H01L 21/683
专利号 : ZL2006800041467
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 三井化学株式会社
变更后权利人 : 三井化学东赛璐株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京都
变更后权利人 : 日本东京都
登记生效日 : 20111209
2010-10-06 ：
授权
2008-03-19 ：
实质审查的生效
2008-01-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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