晶片表面处理方法
专利权的终止
摘要
本发明涉及一种处理称为施主晶片(10)的第一晶片和称为接收晶片(20)的第二晶片的任一个或两个称为键合表面的表面(12，22)的方法，这两个晶片将互相键合。该方法特征之处在于，它包括通过向所述键合表面(12，22)施加处理溶液，在键合所述施主晶片(10)和接收晶片(20)之前立即实施的清洗及激活步骤。该溶液包含至少97％的氨的水溶液(NH4OH)，优选为去离子水溶液，其重量浓度范围约从0.05％至2％。本发明适合制造用于光学、电子学或光电子学领域的结构。
基本信息
专利标题 ：
晶片表面处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101088154A
申请号 ：
CN200580044846.4
公开（公告）日 ：
2007-12-12
申请日 ：
2005-12-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
C·马勒维尔D·德尔普拉C·德拉特F·梅特拉尔
申请人 ：
S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
申请人地址 ：
法国贝尔尼
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
程伟
优先权 ：
CN200580044846.4
主分类号 ：
H01L21/762
IPC分类号 ：
H01L21/762
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
H01L21/762
介电区
法律状态
2015-02-11 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101598341520
IPC(主分类) : H01L 21/762
专利号 : ZL2005800448464
申请日 : 20051221
授权公告日 : 20091209
终止日期 : 20131221
号牌文件序号 : 101598341520
IPC(主分类) : H01L 21/762
专利号 : ZL2005800448464
申请日 : 20051221
授权公告日 : 20091209
终止日期 : 20131221
2009-12-09 ：
授权
2008-02-06 ：
实质审查的生效
2007-12-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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