用气态介质处理半导体晶片的方法以及由该方法处理的半导体晶...
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要
本发明涉及用气态介质处理半导体晶片的方法，该气态介质含有氟化氢及至少一种氧化该半导体晶片的表面的氧化剂，其特征在于，该气态介质以40毫米/秒至300米/秒的相对速率流至该半导体晶片的表面上。本发明还涉及粗糙度低且金属浓度低的半导体晶片和SOI晶片。
基本信息
专利标题 ：
用气态介质处理半导体晶片的方法以及由该方法处理的半导体晶片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1804153A
申请号 ：
CN200510022985.9
公开（公告）日 ：
2006-07-19
申请日 ：
2005-12-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
马克西米利安·施塔德勒京特·施瓦布克里斯托夫·弗赖彼得·斯塔尔霍费尔
申请人 ：
硅电子股份公司
申请人地址 ：
德国慕尼黑
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
过晓东
优先权 ：
CN200510022985.9
主分类号 ：
C30B33/12
IPC分类号 ：
C30B33/12 C23F1/12
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
C30B33/08
侵蚀
C30B33/12
在气体气氛或等离子体内
法律状态
2010-02-17 ：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2008-01-30 ：
授权
2006-09-13 ：
实质审查的生效
2006-07-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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