半导体晶片
授权
摘要
本发明提供一种半导体晶片，其具有形成于一基底的一集成电路区，并包含置于上述基底且邻近上述集成电路区的至少一晶片角落非电路区、与形成于上述晶片角落非电路区内的至少一查检记号。上述查检记号包含择自激光熔线标记、对准标记、与监控标记的结构。本发明所述半导体晶片，可以使电路布局所需的有效晶片面积最大化。
基本信息
专利标题 ：
半导体晶片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1783494A
申请号 ：
CN200510115701.0
公开（公告）日 ：
2006-06-07
申请日 ：
2005-11-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
傅宗民林晃生韩郁琪陈宪伟
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200510115701.0
主分类号 ：
H01L27/04
IPC分类号 ：
H01L27/04 H01L23/544
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
法律状态
2008-04-16 ：
授权
2006-08-02 ：
实质审查的生效
2006-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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