单晶硅半导体晶片

授权

摘要

本实用新型公开了通过借助于线锯处理工件而由工件制造半导体晶片的方法、线锯以及单晶硅半导体晶片。该单晶硅半导体晶片包括：小于1.2μm的翘曲；以THA25 10％表示，小于5nm的所述上侧表面的纳米形貌；和以部分表面上的最大峰谷距离表示，并参照面积均为25mm×25mm的部分表面，小于6nm的所述上侧表面的部分表面相关纳米形貌。

基本信息

专利标题：

单晶硅半导体晶片

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201922128148.4

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-12-02

授权号：

CN212218918U

授权日：

2020-12-25

发明人：

A·拜尔S·韦尔施

申请人：

硅电子股份公司

申请人地址：

德国慕尼黑

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

王永建

优先权：

CN201922128148.4

主分类号：

B28D5/04

IPC分类号：

B28D5/04 B28D7/00 B24B27/06 H01L21/02 H01L21/67