由单晶硅制备半导体晶片的方法
公开
摘要
本发明涉及由单晶硅制备半导体晶片的方法，包括从坩埚中包含的熔体拉制单晶硅的圆柱形部分；对所述熔体施加水平磁场；在所述单晶的圆柱形部分的拉制期间，以旋转速度和旋转方向旋转所述坩埚；并且从所述单晶的所述圆柱形部分中分离单晶硅的所述半导体晶片。所述方法的特征在于旋转速度随时间平均的值小于1rpm，并且持续地改变所述旋转方向，并且改变所述旋转方向之前和之后的所述旋转速度的幅度不小于0.5rpm且不大于3.0rpm。
基本信息
专利标题 ：
由单晶硅制备半导体晶片的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114302981A
申请号 ：
CN202080060895.1
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2020-08-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
W·霍维泽尔K·曼格尔贝格尔J·费特尔赫费尔
申请人 ：
硅电子股份公司
申请人地址 ：
德国慕尼黑
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
过晓东
优先权 ：
CN202080060895.1
主分类号 ：
C30B15/30
IPC分类号 ：
C30B15/30 C30B29/06 C30B30/04 C30B15/20
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/30
转动或移动熔体或晶体的机构
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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