n型单晶硅的制造方法、n型单晶硅的锭、硅晶片及外延硅晶片
公开
摘要
本发明涉及n型单晶硅的制造方法、n型单晶硅的锭、硅晶片及外延硅晶片。本发明提供一种n型单晶硅的制造方法，其通过提拉法，从含有红磷作为主要掺杂剂的硅熔液(9)中提拉单晶硅(10)并使其生长，所述n型单晶硅的制造方法中，使用内径为单晶硅(10)的直体直径的1.7倍以上且2.3倍以下的石英坩埚(3A)，进行电阻率为0.5mΩcm以上且1.0mΩcm以下的单晶硅(10)的提拉。
基本信息
专利标题 ：
n型单晶硅的制造方法、n型单晶硅的锭、硅晶片及外延硅晶片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114606567A
申请号 ：
CN202210251415.0
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2018-03-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
前川浩一鸣嶋康人川上泰史小川福生木原亚由美
申请人 ：
胜高股份有限公司
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
梅黎
优先权 ：
CN202210251415.0
主分类号 ：
C30B15/04
IPC分类号 ：
C30B15/04 C30B15/10 C30B15/20 C30B29/06 C30B30/04
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/02
向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
C30B15/04
添加掺杂材料，例如用于n-p结的
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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