单晶硅的制造方法
实质审查的生效
摘要
单晶硅的制造方法具有测定顶腔（32）的内壁面的辐射率（ε）的测定工序、基于由前述测定工序测定的辐射率（ε）设定单晶硅（2）的目标电阻率而制造单晶硅（2）的制造工序。在前述制造工序中，设定构成单晶硅（2）的直体部开始形成的位置处的结晶中心轴线上的目标电阻率时，辐射率（ε）为0.4以下时，掺杂剂为砷时将前述目标电阻率设定为不满3.0mΩ・cm的电阻率的值。
基本信息
专利标题 ：
单晶硅的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114540938A
申请号 ：
CN202111405434.6
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-11-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
川添真一琴冈敏朗堤有二
申请人 ：
胜高股份有限公司
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
李婷
优先权 ：
CN202111405434.6
主分类号 ：
C30B15/04
IPC分类号 ：
C30B15/04 C30B15/20 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/02
向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
C30B15/04
添加掺杂材料，例如用于n-p结的
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/04
申请日 : 20211124
申请日 : 20211124
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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