单晶硅的培育方法及单晶硅的提拉装置
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种基于提拉法的单晶硅的培育方法，其具有：提拉工序，一边使单晶硅(S)旋转一边进行提拉；及掺杂剂投下工序，在单晶硅(S)的直体部的提拉过程中向硅熔液的液面(MA)上投下粒状掺杂剂，在掺杂剂投下工序中，将粒状掺杂剂的投下位置设定于在硅熔液的液面(MA)上远离直体部的流动占主导的区域上。
基本信息
专利标题 ：
单晶硅的培育方法及单晶硅的提拉装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114341406A
申请号 ：
CN202080062476.1
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-08-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
深津宣人横山龙介
申请人 ：
胜高股份有限公司
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
梅黎
优先权 ：
CN202080062476.1
主分类号 ：
C30B15/04
IPC分类号 ：
C30B15/04 C30B29/06 C30B30/04 C30B15/20 C30B15/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/02
向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
C30B15/04
添加掺杂材料，例如用于n-p结的
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/04
申请日 : 20200820
申请日 : 20200820
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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