单晶硅的制造方法及单晶硅的提拉装置
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摘要
一种单晶硅的制造方法，使不活泼气体在腔室内流过，并且对石英坩埚内的硅熔液施加水平磁场，从而提拉单晶硅，在所述单晶硅的制造方法中实施：在热屏蔽体的下端部及石英坩埚内的硅熔液表面之间流过的不活泼气体流中，形成相对于包含提拉装置的晶体提拉轴以及水平磁场的施加方向的平面为非面对称，并且相对于晶体提拉轴为非旋转对称的流动分布的工序(S1)；直到石英坩埚内的硅原料完全熔化为止，在无磁场下维持所形成的非面对称且非旋转对称的流动分布的工序(S2)；以及在硅原料完全熔化之后，施加水平磁场而开始提拉单晶硅的工序(S3)。
基本信息
专利标题 ：
单晶硅的制造方法及单晶硅的提拉装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112074628A
申请号 ：
CN201980015967.8
公开（公告）日 ：
2020-12-11
申请日 ：
2019-02-27
授权号 ：
CN112074628B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
横山龙介坂本英城杉村涉
申请人 ：
胜高股份有限公司
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
杨戬
优先权 ：
CN201980015967.8
主分类号 ：
C30B29/06
IPC分类号 ：
C30B29/06 C30B15/20
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2020-12-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/06
申请日 : 20190227
申请日 : 20190227
2020-12-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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