单晶提拉方法和单晶提拉装置
公开
摘要
本发明提供单晶提拉方法和单晶提拉装置，所述单晶提拉方法是在通过直拉法从硅熔融液中提拉硅单晶时，在肩部形成后、且在产品部前半形成中，向硅熔融液中高效地添加掺杂剂而不会产生有位错化，可得到低电阻率的单晶。所述方法具备以下工序：形成惰性气体流(G)的工序，该惰性气体流在配置成包围在炉内培育的硅单晶(C)的隔热板(7)的内侧从上方朝向硅熔液面(M1)流动，同时沿着上述硅熔液面放射状地扩展，向上述坩埚外排气；在上述炉内使掺杂剂变成气态的工序；将已变成气态的掺杂剂排放到上述隔热板的内侧的工序；以及使上述已变成气态的掺杂剂搭乘上述惰性气体流而流动的工序。
基本信息
专利标题 ：
单晶提拉方法和单晶提拉装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114599826A
申请号 ：
CN202080077251.3
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2020-10-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
成松真吾
申请人 ：
环球晶圆日本股份有限公司
申请人地址 ：
日本新潟县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
张桂霞
优先权 ：
CN202080077251.3
主分类号 ：
C30B27/02
IPC分类号 ：
C30B27/02 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B27/00
保护流体下的单晶生长
C30B27/02
自熔融液的提拉法
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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