一种反向提拉式单晶炉
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摘要
本实用新型提供了一种反向提拉式单晶炉，该技术方案摒弃了提拉籽晶的晶体生长模式，通过驱动坩埚的下降来实现反向提拉作用。具体来看，本实用新型将籽晶固定于坩埚上方，在坩埚及石墨加热器的下端由可升降的支柱进行承载；基于这种结构，当熔融步骤完成后，通过驱动坩埚下降来实现坩埚与籽晶的相对远离，从而实现单晶沿籽晶下端的生长；在此基础上，本实用新型在坩埚及石墨加热器的下方增设了限位机构，可对其下降幅度加以限制。此外，本实用新型提供了升降机构及石墨加热器的具体可选构型，其中，升降机构基于丝杆原理对顶柱加以驱动，可实现其平稳升降；石棉加热器则采用U型金属板围成筒体构型，可保证各方位均能提供电热作用。
基本信息
专利标题 ：
一种反向提拉式单晶炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921840402.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-30
授权号 ：
CN211036177U
授权日 ：
2020-07-17
发明人 ：
王志磊张燕玲邢德春王志卿于彩凤
申请人 ：
晶创铭盛电子科技（香河）有限公司
申请人地址 ：
河北省廊坊市香河经济技术开发区运河大道东侧安晟街北侧运泰路西侧机器人产业港1期E5楼
代理机构 ：
北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨玉廷
优先权 ：
CN201921840402.7
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-07-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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