单晶炉用晶体提拉设备
授权
摘要
本实用新型提供了一种单晶炉用晶体提拉设备，其包括主室、下伸缩管、下副室、上伸缩管、副室旋臂和提拉杆。主室的下方设有坩埚，坩埚用于盛放晶体原料；下伸缩管的下端连接于主室的上端，下伸缩管的上端可分离地连接于下副室的下端并能够沿高度方向伸缩；上伸缩管的下端可分离地连接于下副室的上端，上伸缩管能够沿高度方向伸缩；提拉杆悬设在坩埚的上方并与坩埚对准，提拉杆的下端用于安放籽晶；副室旋臂的一侧固定连接于下副室，副室旋臂能够带动下副室一起在水平面内旋转，以使下副室与上伸缩管和下伸缩管在水平面内错开。在取晶时，副室旋臂的设置能够单独带动下副室在水平面内旋转，保证了籽晶与坩埚相对位置的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
单晶炉用晶体提拉设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920891053.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-13
授权号 ：
CN210394587U
授权日 ：
2020-04-24
发明人 ：
牛晓东赵青松何志达朱刘
申请人 ：
清远先导材料有限公司
申请人地址 ：
广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号
代理机构 ：
北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张向琨
优先权 ：
CN201920891053.5
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-04-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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