基于晶体加工用晶体提拉炉
授权
摘要
本实用新型公开了基于晶体加工用晶体提拉炉，属于晶体提拉炉技术领域，以往的熔融炉因溶液表面温度散热不够均匀，导致晶体结构不够均匀，且保温热场无法根据熔融炉内的实际温度进行调整，包括底座，底座上表面固定设有多个支撑柱，支撑柱上端固定连接有防护罩层，保温层内设置有石墨碳毡，绝热层材质为透明玻璃纤维，使防护罩层密封隔离保护熔融炉，且通过锥形散热套使熔融炉内熔液表面热能散发减缓，使熔液表面的温度均匀，第二电机通过第二丝杆带动坩埚沿炉壳内上升，从而改变保温热场；第一电机通过第一丝杆带动凸形板沿导杆上下移动，并通过齿轮组带动籽晶杆转动，凸形板使籽晶杆上下移动，从而获取单晶体。
基本信息
专利标题 ：
基于晶体加工用晶体提拉炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123368613.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
CN216427480U
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
陈浩
申请人 ：
河南创合实验室设备有限公司
申请人地址 ：
河南省郑州市高新技术产业开发区莲花街338号10号楼3层13号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202123368613.5
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B15/30
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2022-05-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
