新型液封冷却提拉晶体生长装置
专利权的终止
摘要
本实用新型公开了一种新型液封冷却提拉晶体生长装置,包括炉体和设置在所述炉体内的石英坩埚,所述石英坩埚的下部包裹有晶体熔体加热器,所述晶体熔体加热器的底部与所述炉体的内底之间安装有晶体熔体加热器举升机构;在所述晶体熔体加热器的顶端,沿所述石英坩埚周向位置设有流体冷却液封环,在所述炉体的顶端设置有提升机构,所述提升机构用于上提或下放所述流体冷却液封环,以使流体冷却液封环处于设定高度;在所述石英坩埚的上方,沿所述炉体的内壁设有生长室空气冷却环。本实用新型可分开调节晶体熔体与液封流体温度,且在晶体生长室内设置冷却环,抑制生长过程中气体发生对流,最终提高晶体的生长质量。
基本信息
专利标题 :
新型液封冷却提拉晶体生长装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921933855.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-11-11
授权号 :
CN210945850U
授权日 :
2020-07-07
发明人 :
莫东鸣
申请人 :
重庆工业职业技术学院
申请人地址 :
重庆市渝北区桃源大道1000号
代理机构 :
重庆市前沿专利事务所(普通合伙)
代理人 :
刘代春
优先权 :
CN201921933855.4
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00 C30B29/20
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2021-10-26 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : C30B 15/00
申请日 : 20191111
授权公告日 : 20200707
终止日期 : 20201111
申请日 : 20191111
授权公告日 : 20200707
终止日期 : 20201111
2020-07-07 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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