晶体生长组件、晶体生长装置和方法

授权

摘要

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种晶体生长组件、晶体生长装置和方法。晶体生长组件包括叶片调整环，叶片调整环包括外环体和多个叶片件；外环体用于沿坩埚的高度方向布置；叶片件沿坩埚的高度方向延伸，多个叶片件均匀间隔地设置地外环体的内壁上，且多个叶片件远离外环体的端部围合形成中心通道。其能够引导和调整生产气氛，从而保障晶体能够稳定高效地生长。

基本信息

专利标题：

晶体生长组件、晶体生长装置和方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113122924A

申请号：

CN202110440864.5

公开（公告）日：

2021-07-16

申请日：

2021-04-23

授权号：

CN113122924B

授权日：

2022-04-12

发明人：

陈泽斌张洁廖弘基陈华荣

申请人：

福建北电新材料科技有限公司

申请人地址：

福建省泉州市晋江市陈埭镇江浦社区企业运营中心大厦

代理机构：

北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

刘曾

优先权：

CN202110440864.5

主分类号：

C30B29/36

IPC分类号：

C30B29/36 C30B23/00