本发明公开了一种氧化镓晶体生长装置及晶体生长方法，氧化镓晶体生长装置，包括炉体、籽晶棒提拉装置和漂浮物去除装置，漂浮物去除装置包括升降机构、旋转驱动机构和粘接杆，旋转驱动机构与粘接杆相连并控制粘接杆的旋转，粘接杆下端对准铱金坩埚开口，粘接杆外侧套设有与旋转驱动机构、炉体相连的伸缩管，升降机构与旋转驱动机构相连并控制粘接杆的升降情况，粘接杆上端与籽晶棒提拉装置偏心安装，晶体生长方法包括以下步骤：氧化镓原料的熔化；漂浮物的去除；晶体生长；氧化镓单晶晶体的获取。本发明具有去除氧化镓熔体表面漂浮物使得籽晶顺利与氧化镓熔体接触，保证后续晶体顺利生长，生长出可根据需要切割出任意晶面的氧化镓晶体等优点。