晶体生长装置的控制系统和晶体生长装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种晶体生长装置的控制系统和晶体生长装置，晶体生长装置包括炉体、坩埚和冷却套，冷却套沿坩埚的轴向可移动，控制系统包括量测装置、调节装置和控制装置，量测装置用于获取晶体等径生长阶段的直径，调节装置用于驱动冷却套沿坩埚的轴向移动，控制装置与量测装置和调节装置分别通信，且控制装置用于根据量测装置的反馈控制调节装置的状态。根据本实用新型的晶体生长装置的控制系统，便于调整固液界面处的温度梯度，使得晶体缺陷较少、直径满足预定直径。
基本信息
专利标题 ：
晶体生长装置的控制系统和晶体生长装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022252777.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-10
授权号 ：
CN214060710U
授权日 ：
2021-08-27
发明人 ：
陈翼刘奇黄末冯参冯厚坤
申请人 ：
徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市经济技术开发区鑫芯路1号
代理机构 ：
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
欧阳高凤
优先权 ：
CN202022252777.0
主分类号 ：
C30B15/20
IPC分类号 ：
C30B15/20 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
法律状态
2021-08-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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