晶体生长装置
公开
摘要
本发明公开了一种晶体生长装置，晶体生长装置包括：生长机构，所述生长机构内形成有加热腔，所述加热腔内设有粉源；连接杆，所述连接杆的至少部分从所述生长机构的顶壁伸入至所述加热腔内；籽晶基座，所述籽晶基座设置于所述连接杆且所述籽晶基座上形成有安装面，所述安装面与竖直方向的夹角小于90°，所述籽晶基座在由上至下的方向上导热率逐渐降低。根据本发明的晶体生长装置，通过设置籽晶基座并将籽晶基座上的安装面构造为在与竖直方向的夹角小于90°，并且安装面的导热率在由上至下的方向上导热率逐渐降低，改善了晶体生长过程中出现的缺陷，提高了生长晶型的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
晶体生长装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114574954A
申请号 ：
CN202210095909.4
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-01-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李远田陈俊宏吴亚娟
申请人 ：
江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市徐州经济技术开发区软件园E1楼669室
代理机构 ：
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
吴婷
优先权 ：
CN202210095909.4
主分类号 ：
C30B23/00
IPC分类号 ：
C30B23/00 C30B29/36
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B23/00
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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