晶体生长设备
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
揭示一种按EFG法增长管形晶体的新颖设备，特征为设备至少有一个外通道和至少一个内通道，在坩埚模具组合件和相关的部件中形成，引入至少一条外通道的气体，藉以输送入与模具上的增长面相邻的增长晶体外面的区域，引入至少一条内通道的气体，输送入与该增长面相邻的空心晶体里面的区域，从而内外区中的大气可以分别控制。
基本信息
专利标题 ：
晶体生长设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN88101744A
申请号 ：
CN88101744.2
公开（公告）日 ：
1988-10-05
申请日 ：
1988-03-26
授权号 ：
CN1022336C
授权日 ：
1993-10-06
发明人 ：
戴维·S·哈维
申请人 ：
无比太阳能公司
申请人地址 ：
美国马萨诸塞州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
肖尔刚
优先权 ：
CN88101744.2
主分类号 ：
C30B15/34
IPC分类号 ：
C30B15/34 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/34
使用成型模或缝隙的边缘限制熔膜供料的晶体生长
法律状态
1996-05-08 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1993-10-06 ：
授权
1990-07-25 ：
实质审查请求
1988-10-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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