成型单晶体生长设备
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种难熔光学透明金属化合物定型单晶体生长设备，有一密封室(1)，室内有一杯形加热器(3)的绝热装置(2)，加热器由有一坩埚(5)可沿杯形加热器的轴线往复移动。圆柱形成形器(6)有毛细管式通孔，将熔融物(11)从坩埚(5)输送至单晶体(7)的结晶区(14)内，它位于成形器(6)上端(13)上方。其形状与单晶体(7)横截面形状相同。加热器(3)内有水平的平板式隔热板(23)，有同轴孔(25)，用以通过生长的单晶体(7)，孔内还装有一空心圆筒形隔热板(24)。
基本信息
专利标题 ：
成型单晶体生长设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87108007A
申请号 ：
CN87108007.9
公开（公告）日 ：
1988-06-08
申请日 ：
1987-11-26
授权号 ：
CN1010036B
授权日 ：
1990-10-17
发明人 ：
德米特里·亚科莱维奇·克拉维斯基莱夫·马科维奇·萨图洛斯基莱奥尼德·彼特罗维奇·埃格罗夫伯里斯·本特斯诺维奇·彼茨莱奥尼德·萨穆洛维奇·库奥恩埃弗姆·阿莱克桑德罗维奇·弗里曼维克托·瓦希利维奇·阿维亚诺夫阿莱克桑德·沃维奇·阿利少夫
申请人 ：
全苏电热工设备科研设计结构和工艺所
申请人地址 ：
苏联莫斯科
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
薛明祖
优先权 ：
CN87108007.9
主分类号 ：
C30B15/34
IPC分类号 ：
C30B15/34 C30B35/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/34
使用成型模或缝隙的边缘限制熔膜供料的晶体生长
法律状态
1993-04-21 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1991-05-15 ：
授权
1990-10-17 ：
审定
1989-08-09 ：
实质审查请求
1988-06-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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