生长多个单晶体的方法和设备
专利权的终止
摘要
一种通过维持熔体内熔化的源材料的纯度从一个重新添加熔体中生长多个高纯度单晶的方法，所说熔体盛装在用于生长高纯度单晶的炉内坩埚中。该方法包括如下步骤：从坩埚原料生长至少一个晶体，提取一部分剩余在坩埚中的熔体，以及至少再生长一个单晶。用该方法的提取设备包
基本信息
专利标题 ：
生长多个单晶体的方法和设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1094461A
申请号 ：
CN93104979.2
公开（公告）日 ：
1994-11-02
申请日 ：
1993-04-24
授权号 ：
CN1032318C
授权日 ：
1996-07-17
发明人 ：
J·D·霍尔达
申请人 ：
MEMC电子材料有限公司
申请人地址 ：
美国密苏里州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
蔡民军
优先权 ：
CN93104979.2
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B35/00
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2010-06-16 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101003018052
IPC(主分类) : C30B 15/00
专利号 : ZL931049792
申请日 : 19930424
授权公告日 : 19960717
号牌文件序号 : 101003018052
IPC(主分类) : C30B 15/00
专利号 : ZL931049792
申请日 : 19930424
授权公告日 : 19960717
2005-06-22 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1996-07-17 ：
授权
1995-08-02 ：
实质审查请求的生效
1994-11-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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