单晶生长装置
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
为了增加单晶生长速率。必要增加固-液交界面的固相单晶内的温度梯度(dT/dX)。因为提拉单晶总是受到来自加热器的辐射热。所以最好要降低加热器的温度。尽管如此，当这里加热器的温度降低了，便存在一个课题，即熔融液体表面很容易在液体与坩埚内壁连接的部位发生凝固。为了克服上述问题，加热器设计成使得熔融液体的上部加热到比熔融液体下部的温度要高。
基本信息
专利标题 ：
单晶生长装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85101043A
申请号 ：
CN85101043.1
公开（公告）日 ：
1987-01-10
申请日 ：
1985-04-01
授权号 ：
CN1015187B
授权日 ：
1991-12-25
发明人 ：
铃木利彦星金治伊沢伸幸大久保安教
申请人 ：
索尼公司
申请人地址 ：
日本东京都品川北品川6丁目7番35号
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN85101043.1
主分类号 ：
C30B15/14
IPC分类号 ：
C30B15/14 C30B15/00
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/14
熔融液或已结晶化材料的加热
法律状态
2000-11-22 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1992-09-09 ：
授权
1991-12-25 ：
审定
1987-01-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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