本发明提供了一种单晶生长装置，涉及晶片生长设备技术领域。该单晶生长装置，包括坩埚、籽晶结构、加热件、导向组件和多孔石墨板；坩埚的顶壁内侧配置成安装碳化硅碎晶片；导向组件设置在坩埚内部；导向组件内部形成第一容腔，籽晶结构设置在第一容腔的底壁；导向组件的外侧壁和坩埚的内侧壁共同形成第二容腔，第二容腔用于装盛碳化硅，第二容腔具有朝向坩埚的顶壁的开口；第一容腔和第二容腔通过开口连通；加热件设置在坩埚的外侧，加热件配置成向坩埚的侧壁提供热量，还配置成向坩埚的顶壁提供热量；多孔石墨板安装在第二容腔内部，且配置成供气态碳化硅穿过。本发明提供的单晶生长装置可以减少晶体中碳包覆物的产生，提高晶体品质。