GaSb单晶生长前浮渣过滤装置和单晶生长装置

专利申请权、专利权的转移

摘要

本实用新型涉及GaSb单晶生长前浮渣过滤装置和单晶生长装置，所述浮渣过滤装置包括装料坩埚和过滤坩埚；所述装料坩埚呈上下开口的筒状；所述过滤坩埚为上大下小的圆台状，包括上过滤板、下过滤板、外壁面以及由上过滤板、下过滤板和外壁面围合而成的内腔；所述内腔中填装有过滤珠；所述上过滤板和下过滤板均开设数通孔，所述通孔的直径小于所述过滤珠的直径；所述装料坩埚的外径与所述过滤坩埚外壁面最上端的外径相等，且所述装料坩埚的下端筒壁与所述过滤坩埚外壁面最上端固定连接。该浮渣过滤装置在过滤坩埚内填装有过滤球，使其形成类似于活性炭的大表面积、多空隙结构，对杂质有极佳的过滤效果。

基本信息

专利标题：

GaSb单晶生长前浮渣过滤装置和单晶生长装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201922354976.X

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-12-24

授权号：

CN211471639U

授权日：

2020-09-11

发明人：

李万朋许所成孔鑫燚马英俊许兴林泉

申请人：

有研光电新材料有限责任公司

申请人地址：

河北省廊坊市廊坊开发区百合道4号

代理机构：

北京辰权知识产权代理有限公司

代理人：

董李欣

优先权：

CN201922354976.X

主分类号：

C30B29/40

IPC分类号：

C30B29/40 C30B11/00