单晶生长装置
公开
摘要
本发明公开了一种单晶生长装置，包括：外坩埚，外坩埚限定出生长腔，生长腔的顶壁设有籽晶；第一内坩埚，第一内坩埚设于生长腔内，且第一内坩埚与籽晶沿轴向相对布置，第一内坩埚的朝向籽晶的一端敞开，第一内坩埚的外侧壁与外坩埚的内侧壁间隔开以限定出气流通道，第一内坩埚用于盛放碳化硅原料；第二内坩埚，第二内坩埚在生长腔内且位于第一内坩埚的背离籽晶的一侧，第二内坩埚的朝向第一内坩埚的一端敞开，第二内坩埚适于盛放用于产生补偿气氛的硅料或用于产生掺杂气氛的掺杂剂，第二内坩埚适于在第一位置和第二位置之间移动以连通或隔断气流通道与第二内坩埚的内腔。根据本发明的单晶生长装置，可以提高碳化硅晶体生长过程的连续性。
基本信息
专利标题 ：
单晶生长装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114561693A
申请号 ：
CN202210136243.2
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-02-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李远田陈俊宏吴亚娟
申请人 ：
江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市徐州经济技术开发区软件园E1楼669室
代理机构 ：
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
吴婷
优先权 ：
CN202210136243.2
主分类号 ：
C30B23/00
IPC分类号 ：
C30B23/00 C30B29/36
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B23/00
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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