单晶生长装置
公开
摘要
本发明公开了一种单晶生长装置，单晶生长装置包括：炉体、坩埚、导流筒、反射模块和图像接收模块，炉体内限定出炉室，坩埚可升降地设于炉室内，导流筒位于坩埚上方且中心设有适于晶棒穿过的通道，导流筒内形成第一光线传输通道和第二光线传输通道，坩埚的内周壁和坩埚内溶汤的交界位置与和第二光线传输通道连通的入光孔相对的区域为检测区域，反射模块包括第一反射件，第一反射件设于第一光线传输通道和第二光线传输通道的连通位置，并将进入第二光线传输通道的光线反射转向第一光线传输通道，检测区域的图像通过反射模块反射后进入图像接收模块。根据本发明的单晶生长装置，可以准确地观测坩埚内溶汤的液面高度，利于保证单晶的生长质量。
基本信息
专利标题 ：
单晶生长装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114606565A
申请号 ：
CN202210100195.1
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈俊宏
申请人 ：
徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市经济技术开发区鑫芯路1号
代理机构 ：
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
吴婷
优先权 ：
CN202210100195.1
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B15/26 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
