单晶生长加热装置
授权
摘要
本实用新型涉及一种单晶生长加热装置，包括：容器，容器包括第一区和位于第一区下方的第二区；加热部件，位于容器外侧，加热部件包括彼此温度能独立控制的第一加热单元和第二加热单元，第一加热单元位于第一区外围，第二加热单元位于第二区外围，第一加热单元和第二加热单元之间具有间距；恒温层，位于容器外侧且通过加热部件和绝热层与容器相隔离。上述单晶生长加热装置中包括恒温层，使得容器外侧的温度恒定，减少环境温度变化对容器内温度的影响，还能有利于精确控制容器内的轴向温度差，减少成本。
基本信息
专利标题 ：
单晶生长加热装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020532994.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-13
授权号 ：
CN211999983U
授权日 ：
2020-11-24
发明人 ：
乔焜张新建林岳明高明哲
申请人 ：
上海玺唐半导体科技有限公司
申请人地址 ：
上海市松江区文翔东路58号9幢1楼
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
史治法
优先权 ：
CN202020532994.2
主分类号 ：
C30B7/10
IPC分类号 ：
C30B7/10 C30B29/40
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B7/00
常温液态溶剂之溶液，例如水溶液的单晶生长；用正常凝固法或温度梯度凝固法的入C30B11/00；在保护流体下的入C30B27/00）
C30B7/10
加压法，例如水热法
法律状态
2020-11-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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