单晶生长设备及单晶生长方法
公开
摘要
本发明提供一种单晶生长设备及方法。设备包括炉体、坩埚、旋转基座、驱动装置、内衬管及基座环；炉体底部设置有底座，坩埚位于炉体内，旋转基座与坩埚的底部相连接，并向下穿过底座直至延伸到炉体外部，内衬管位于旋转基座与底座之间且套设于旋转基座的外围；驱动装置与旋转基座相连接，用于驱动旋转基座旋转；基座环位于炉体内，且套设于旋转基座的周向，基座环自内衬管的表面向外延伸到底座上，且基座环与内衬管为可拆卸连接。本发明可以避免坩埚内的多晶硅料溢出和加热器上的片状物掉落至间隙内造成旋转基座的磨损以及因内衬管的堵塞造成旋转基座无法正常旋转等问题，有助于提高单晶生长设备的稳定性和使用寿命，提高单晶生长品质。
基本信息
专利标题 ：
单晶生长设备及单晶生长方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114606564A
申请号 ：
CN202011408811.7
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-12-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭鸿震
申请人 ：
上海新昇半导体科技有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区云水路1000号1-4幢、6-19幢
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
余明伟
优先权 ：
CN202011408811.7
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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