加料管、单晶生长设备及其加料方法
公开
摘要

本发明公开了一种加料管、单晶生长设备及其加料方法,所述加料管用于单晶生长设备,所述单晶生长设备包括:坩埚和所述加料管,所述坩埚适于盛放硅熔汤,所述加料管包括:管本体,所述管本体限定出输料通道和多个用于储放硅原料的储料腔,多个所述储料腔均和所述输料通道连通,所述输料通道适于将多个所述储料腔内的硅原料投放至所述坩埚;开关组件,所述开关组件适于分别控制多个所述储料腔与所述输料通道的通断。根据本发明的加料管,更容易控制硅原料的投放量,也可以防止硅原料进入硅熔汤时造成的高温硅熔汤的飞溅,从而提升了单晶生长设备运行的安全性和可靠性。

基本信息
专利标题 :
加料管、单晶生长设备及其加料方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114561689A
申请号 :
CN202210149269.0
公开(公告)日 :
2022-05-31
申请日 :
2022-02-17
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
陈俊宏邢微波
申请人 :
徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请人地址 :
江苏省徐州市经济技术开发区鑫芯路1号
代理机构 :
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
吴婷
优先权 :
CN202210149269.0
主分类号 :
C30B15/02
IPC分类号 :
C30B15/02  C30B15/00  C30B29/36  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/02
向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
法律状态
2022-05-31 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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