高质量单晶及生长单晶的方法
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摘要
本发明公开了一种从坩埚内的熔融体生长单晶的方法。该方法包括如下步骤：沿着平行于所述单晶长度方向的轴，从所述单晶与所述熔融体的界面开始，使所述熔融体的温度逐渐上升至最高点，然后逐渐降低至所述坩埚底部。维持所述熔融体的升温温度梯度大于其降温温度梯度。优选的是，所述轴被设定为穿过所述单晶的中心。优选的是，所述熔融体内部区域的对流小于其外部区域的对流。
基本信息
专利标题 ：
高质量单晶及生长单晶的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1766179A
申请号 ：
CN200510109230.2
公开（公告）日 ：
2006-05-03
申请日 ：
2005-10-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵铉鼎
申请人 ：
希特隆股份有限公司
申请人地址 ：
韩国庆尚北道
代理机构 ：
北京信慧永光知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
武玉琴
优先权 ：
CN200510109230.2
主分类号 ：
C30B35/00
IPC分类号 ：
C30B35/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2010-10-27 ：
授权
2007-12-05 ：
实质审查的生效
2006-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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