硅单晶的生长方法
授权
摘要
本发明提供一种以高生长速度制造高质量单晶的技术。本发明提供用切克劳斯基单晶生长法使硅单晶生长的方法，即：在沿平行于单晶的径向的轴测定硅熔体的温度梯度时，把所测定的最大温度梯度称为ΔTmax，最小温度梯度称为ΔTmin，用满足{(ΔTmax-ΔTmin)/ΔTmin}×100≤10的条件使硅单晶生长。
基本信息
专利标题 ：
硅单晶的生长方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101831697A
申请号 ：
CN201010166780.9
公开（公告）日 ：
2010-09-15
申请日 ：
2005-11-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵铉鼎
申请人 ：
希特隆股份有限公司
申请人地址 ：
韩国庆尚北道
代理机构 ：
北京信慧永光知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
禇海英
优先权 ：
CN201010166780.9
主分类号 ：
C30B29/06
IPC分类号 ：
C30B29/06 C30B15/00 C30B15/20
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2012-11-14 ：
授权
2010-11-03 ：
实质审查的生效
号牌文件类型代码 : 1604
号牌文件序号 : 101012512181
IPC(主分类) : C30B 29/06
专利申请号 : 2010101667809
申请日 : 20051123
号牌文件序号 : 101012512181
IPC(主分类) : C30B 29/06
专利申请号 : 2010101667809
申请日 : 20051123
2010-09-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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