硅单晶的生长方法及硅晶片的制造方法
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摘要
本发明的硅单晶的生长方法，其为通过直拉法生长根据ASTM－F121 1979测得的氧浓度为12×1017～18×1017个原子/cm3的硅单晶的方法。生长单晶的环境气体为惰性气体和含氢原子的物质的气体的混合气体。对生长中的硅单晶的温度进行控制，以使从熔点到1350℃的结晶中心部的轴向温度梯度Gc和从熔点到1350℃的结晶外周部的轴向温度梯度Ge之比Gc/Ge为1.1～1.4、所述结晶中心部的轴向温度梯度Gc为3.0～3.5℃/mm。
基本信息
专利标题 ：
硅单晶的生长方法及硅晶片的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101198727A
申请号 ：
CN200580050122.0
公开（公告）日 ：
2008-06-11
申请日 ：
2005-11-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
稻见修一高濑伸光小暮康弘滨田建中村刚
申请人 ：
胜高股份有限公司
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
熊玉兰
优先权 ：
CN200580050122.0
主分类号 ：
C30B29/06
IPC分类号 ：
C30B29/06 C30B15/20
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2011-08-17 ：
授权
2008-08-06 ：
实质审查的生效
2008-06-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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