制造硅单晶的方法和设备
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种硅单晶制造方法和设备，能够定量且稳定地馈送掺杂剂。按硅单晶的重量或者馈入的硅原料的重量，计算出熔硅中掺杂的浓度，预计添加掺杂剂(10)的时间与数量。掺杂剂采用同样浓度与重量，定量极准的掺杂片形式，连续或间歇地由园筒(91)、活塞(92)和活塞操纵装置(93)组成的掺杂剂供给装置馈送。
基本信息
专利标题 ：
制造硅单晶的方法和设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1041011A
申请号 ：
CN89106560.1
公开（公告）日 ：
1990-04-04
申请日 ：
1989-07-07
授权号 ：
CN1020767C
授权日 ：
1993-05-19
发明人 ：
神尾宽芳延风间彰
申请人 ：
日本钢管株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
齐曾度
优先权 ：
CN89106560.1
主分类号 ：
C30B15/02
IPC分类号 ：
C30B15/02 C30B15/04 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/02
向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
法律状态
1994-08-24 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1993-05-19 ：
授权
1990-11-07 ：
实质审查请求
1990-04-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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